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NTR3161N
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700
600
500
400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Q GS
Q GD
Q T
V GS
300
1.5
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0
0
C oss
C rss
2
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T J = 25 ° C
I D = 3.3 A
7
8
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total
Charge
100
V DD = 10 V
I D = 3.3 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
t r
10
t d(on)
1
1
1
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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